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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMG6968UQ-7
DMG6968UQ-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMG6968UQ-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMG6968UQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMG6968UQ-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMG6968U.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 321900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMG6968UQ-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMG6968UQ-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMG6968UQ-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMG6968  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMG6968UQ-7

Proprietà del prodotto DMG6968UQ-7 DMG6968U-7 DMG7430LFG-7 DMG7401SFG-13
Modello di prodotti DMG6968UQ-7 DMG6968U-7 DMG7430LFG-7 DMG7401SFG-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V 151 pF @ 10 V 1281 pF @ 15 V 2987 pF @ 15 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 26.7 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 20V
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 11mOhm @ 20A, 10V 11mOhm @ 12A, 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±25V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 900mW (Ta) 940mW (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
Numero di prodotto di base DMG6968 DMG6968 DMG7430 DMG7401
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 10.5A (Ta) 9.8A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Serie - - - -

DMG6968UQ-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMG6968UQ-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMG6968UQ-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMG6968U.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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