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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMG6968U-7
DMG6968U-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMG6968U-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMG6968U-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMG6968U-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMG6968U.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 362060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMG6968U-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMG6968U-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMG6968U-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMG6968  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMG6968U-7

Proprietà del prodotto DMG6968U-7 DMG7401SFG-13 DMG6968UQ-7 DMG6898LSD
Modello di prodotti DMG6968U-7 DMG7401SFG-13 DMG6968UQ-7 DMG6898LSD
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V -
Numero di prodotto di base DMG6968 DMG7401 DMG6968 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 11mOhm @ 12A, 20V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V 2987 pF @ 15 V 151 pF @ 10 V -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 PowerDI3333-8 SOT-23-3 -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) 940mW (Ta) 1.3W (Ta) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 20V 1.8V, 4.5V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V 58 nC @ 10 V 8.5 nC @ 4.5 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 3V @ 250µA 900mV @ 250µA -
Vgs (Max) ±12V ±25V ±12V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 9.8A (Ta) 6.5A (Ta) -
Caratteristica FET - - - -

DMG6968U-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMG6968U-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMG6968U-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Schede tecniche
DMG6968U.pdf

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Europa Germania 5
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