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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC3025LDV-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC3025LDV-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC3025LDV-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC3025LDV-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
DMC3025LDV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 162780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC3025LDV-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC3025LDV-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC3025LDV-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI3333-8 (Type UXC)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base DMC3025  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC3025LDV-13

Proprietà del prodotto DMC3025LDV-13 DMC3021LK4-13 DMC3016LSD-13 DMC3025LSD-13
Modello di prodotti DMC3025LDV-13 DMC3021LK4-13 DMC3016LSD-13 DMC3025LSD-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 9.4A, 6.8A 8.2A, 6.2A 6.5A, 4.2A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V 751pF @ 10V 1415pF @ 15V 501pF @ 15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel N and P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V 21mOhm @ 7A, 10V 16mOhm @ 12A, 10V 20mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 17.4nC @ 10V 25.1nC @ 10V 9.8nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI3333-8 (Type UXC) TO-252-4L 8-SO 8-SO
Numero di prodotto di base DMC3025 DMC3021 DMC3016 DMC3025
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

DMC3025LDV-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC3025LDV-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC3025LDV-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Source 28/Oct/2022.pdf
Schede tecniche
DMC3025LDV.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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