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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC3016LSD-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC3016LSD-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC3016LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC3016LSD-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DMC3016LSD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 225610

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC3016LSD-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC3016LSD-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC3016LSD-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V  
Potenza - Max 1.2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A, 6.2A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base DMC3016  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC3016LSD-13

Proprietà del prodotto DMC3016LSD-13 DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSD-13 DMC2700UDM-7
Modello di prodotti DMC3016LSD-13 DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSD-13 DMC2700UDM-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V 767pF @ 10V 767pF @ 10V 60.67pF @ 16V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V 21mOhm @ 7A, 10V 21mOhm @ 7A, 10V 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO SOT-26
Potenza - Max 1.2W 2.5W 2.5W 1.12W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 20V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base DMC3016 DMC3021 DMC3021 DMC2700
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A, 6.2A 8.5A, 7A 8.5A, 7A 1.34A, 1.14A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V 16.1nC @ 10V 16.1nC @ 10V 0.74nC @ 4.5V

DMC3016LSD-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC3016LSD-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC3016LSD-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf
Schede tecniche
DMC3016LSD.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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