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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverDGD2190MS8-13
DGD2190MS8-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DGD2190MS8-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DGD2190MS8-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DGD2190MS8-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DGD2190M.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DGD2190MS8-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DGD2190MS8-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DGD2190MS8-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 25ns, 20ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4.5A, 4.5A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base DGD2190  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DGD2190MS8-13

Proprietà del prodotto DGD2190MS8-13 DGD2104AS8-13 DGD21904S14-13 DGD2113S16-13
Modello di prodotti DGD2190MS8-13 DGD2104AS8-13 DGD21904S14-13 DGD2113S16-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Synchronous Independent Independent
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 25ns, 20ns 100ns, 50ns 25ns, 20ns 15ns, 13ns
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Serie - - - -
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 14-SO 16-SO
Numero di prodotto di base DGD2190 DGD2104 DGD21904 DGD2113
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4.5A, 4.5A 210mA, 360mA 4.5A, 4.5A 2.5A, 2.5A
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Frequenza di ingresso 2 2 2 2

DGD2190MS8-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DGD2190MS8-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DGD2190MS8-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 01/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
DGD2190M.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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