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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverDGD21844S14-13
DGD21844S14-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DGD21844S14-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DGD21844S14-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DGD21844S14-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Scheda dati
DGD21844.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5090

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DGD21844S14-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DGD21844S14-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DGD21844S14-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 14-SO  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns  
Contenitore / involucro 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.4A, 1.8A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base DGD21844  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DGD21844S14-13

Proprietà del prodotto DGD21844S14-13 DGD2118S8-13 DGD21904S14-13 DGD2181S8-13
Modello di prodotti DGD21844S14-13 DGD2118S8-13 DGD21904S14-13 DGD2181S8-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Single Independent Independent
Contenitore / involucro 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 14-SO 8-SO 14-SO 8-SO
Configurazione guidata Half-Bridge High-Side Half-Bridge Half-Bridge
Serie - - - -
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.4A, 1.8A 290mA, 600mA 4.5A, 4.5A 1.9A, 2.3A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Frequenza di ingresso 2 1 2 2
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns 75ns, 35ns 25ns, 20ns 40ns, 20ns
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Numero di prodotto di base DGD21844 DGD2118 DGD21904 DGD2181
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DGD21844S14-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DGD21844S14-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DGD21844S14-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf
Schede tecniche
DGD21844.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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