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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverDGD2005S8-13
DGD2005S8-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DGD2005S8-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DGD2005S8-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DGD2005S8-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DGD2003, DGD2005 & DGD2012 New Prod. Annc.pdf
DGD2005S8 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 74410

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DGD2005S8-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DGD2005S8-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DGD2005S8-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 100ns, 35ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.6V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base DGD2005  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DGD2005S8-13

Proprietà del prodotto DGD2005S8-13 DGD2104S8-13 DGD2003S8-13 DGD05473FN-7
Modello di prodotti DGD2005S8-13 DGD2104S8-13 DGD2003S8-13 DGD05473FN-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 10-WFDFN Exposed Pad
Tempo di salita / scadenza (Typ) 100ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns 16ns, 12ns
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO Type TH W-DFN3030-10
Tensione logica - VIL, VIH 0.6V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.4V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting CMOS/TTL
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V 600 V 200 V 50 V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 1.5A, 2.5A
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Numero di prodotto di base DGD2005 DGD2104 DGD2003 DGD05473
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Synchronous Synchronous Independent
Serie - - - -
Tipo di porta N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 0.3V ~ 60V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DGD2005S8-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DGD2005S8-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DGD2005S8-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DGD2003, DGD2005 & DGD2012 New Prod. Annc.pdf DGD2005S8 Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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