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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverDGD0507AFN-7
DGD0507AFN-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DGD0507AFN-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DGD0507AFN-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DGD0507AFN-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Descrizione dettagliata
Pacchetto
10-WFDFN Exposed Pad
Scheda dati
DGD0507A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72970

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DGD0507AFN-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DGD0507AFN-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DGD0507AFN-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione di alimentazione - 8V ~ 14V  
Contenitore dispositivo fornitore W-DFN3030-10  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 16ns, 18ns  
Contenitore / involucro 10-WFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V  
Tipo di ingresso CMOS/TTL  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 50 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.5A, 2A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base DGD0507  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DGD0507AFN-7

Proprietà del prodotto DGD0507AFN-7 DGD0506AM10-13 DGD05473FN-7 DGD2101S8-13
Modello di prodotti DGD0507AFN-7 DGD0506AM10-13 DGD05473FN-7 DGD2101S8-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.5A, 2A 1.5A, 2A 1.5A, 2.5A 290mA, 600mA
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tipo di ingresso CMOS/TTL Non-Inverting CMOS/TTL Non-Inverting
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 10-WFDFN Exposed Pad 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 10-WFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Synchronous Independent Independent
Tensione di alimentazione - 8V ~ 14V 8V ~ 14V 0.3V ~ 60V 10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V 0.8V, 2.4V 0.8V, 2.4V 0.8V, 2.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 50 V 50 V 50 V 600 V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 16ns, 18ns 17ns, 12ns 16ns, 12ns 70ns, 35ns
Contenitore dispositivo fornitore W-DFN3030-10 10-MSOP W-DFN3030-10 8-SO
Numero di prodotto di base DGD0507 DGD0506 DGD05473 DGD2101
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DGD0507AFN-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DGD0507AFN-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DGD0507AFN-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DGD0507A.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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