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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSN7002WH6327XTSA1
SN7002WH6327XTSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SN7002WH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SN7002WH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SN7002WH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
SN7002WH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 390200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SN7002WH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SN7002WH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SN7002WH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT323  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 230mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SN7002  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SN7002WH6327XTSA1

Proprietà del prodotto SN7002WH6327XTSA1 SN7002NE6327 SN7002NH6327XTSA2 SN7002WL6327
Modello di prodotti SN7002WH6327XTSA1 SN7002NE6327 SN7002NH6327XTSA2 SN7002WL6327
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 500mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT323 PG-SOT23-3-5 PG-SOT23 PG-SOT323-3-2
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta) 230mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Numero di prodotto di base SN7002 - SN7002 -
Serie SIPMOS® SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® SIPMOS®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 230mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA

SN7002WH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SN7002WH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SN7002WH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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