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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSN7002NH6327XTSA2
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SN7002NH6327XTSA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SN7002NH6327XTSA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SN7002NH6327XTSA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
SN7002NH6327XTSA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 399300

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SN7002NH6327XTSA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SN7002NH6327XTSA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SN7002NH6327XTSA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23  
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SN7002  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SN7002NH6327XTSA2

Proprietà del prodotto SN7002NH6327XTSA2 SN7002NE6327 SN7002W L6327 SN7002N L6327
Modello di prodotti SN7002NH6327XTSA2 SN7002NE6327 SN7002W L6327 SN7002N L6327
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23 PG-SOT23-3-5 PG-SOT323 PG-SOT23
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base SN7002 - SN7002W SN7002N
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 500mW (Ta) 360mW (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 200mA (Ta) 230mA (Ta) 200mA (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 230mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -

SN7002NH6327XTSA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SN7002NH6327XTSA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SN7002NH6327XTSA2 - Infineon Technologies.

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