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Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SDT12S60 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SDT12S60
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SDT12S60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
SDT12S60.pdf
In magazzino: 4590

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SDT12S60
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SDT12S60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SDT12S60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 12 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-2-2  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 400 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A  
Capacità a Vr, F 450pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SDT12S  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SDT12S60

Proprietà del prodotto SDT12S60 SDT10A45P5-13 SDT10A100P5-7 SDT15H100P5-13
Modello di prodotti SDT12S60 SDT10A45P5-13 SDT10A100P5-7 SDT15H100P5-13
fabbricante Infineon Technologies Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità a Vr, F 450pF @ 1V, 1MHz - - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-2-2 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base SDT12S SDT10 SDT10 SDT15
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 12 A 470 mV @ 10 A 680 mV @ 10 A 660 mV @ 15 A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 400 µA @ 600 V 300 µA @ 45 V 100 µA @ 100 V 250 µA @ 100 V
Contenitore / involucro TO-220-2 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Schottky Schottky
Serie CoolSiC™+ - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V 45 V 100 V 100 V
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns - - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A 10A 10A 15A

SDT12S60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SDT12S60 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SDT12S60 - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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