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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSDT10S30
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SDT10S30 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SDT10S30
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SDT10S30
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 300V 10A TO220-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
SDP10S30, SDT10S30.pdf
In magazzino: 5070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SDT10S30
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SDT10S30, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SDT10S30

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 300 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-2-2  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 300 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A  
Capacità a Vr, F 600pF @ 0V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SDT10S  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SDT10S30

Proprietà del prodotto SDT10S30 SDT12S60 SDT10A100P5-7 SDT10A45P5-13
Modello di prodotti SDT10S30 SDT12S60 SDT10A100P5-7 SDT10A45P5-13
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità a Vr, F 600pF @ 0V, 1MHz 450pF @ 1V, 1MHz - -
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numero di prodotto di base SDT10S SDT12S SDT10 SDT10
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 12 A 680 mV @ 10 A 470 mV @ 10 A
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-220-2 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A 12A 10A 10A
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 300 V 400 µA @ 600 V 100 µA @ 100 V 300 µA @ 45 V
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 300 V 600 V 100 V 45 V
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Schottky
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns - -

SDT10S30 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SDT10S30 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SDT10S30 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
SDP10S30, SDT10S30.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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