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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIRS2332JTRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRS2332JTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2332JTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2332JTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Scheda dati
IRS2332JTRPBF.pdf
In magazzino: 16650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2332JTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2332JTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2332JTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 35ns  
Contenitore / involucro 44-LCC (J-Lead), 32 Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 6  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase  
Numero di prodotto di base IRS2332  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2332JTRPBF

Proprietà del prodotto IRS2332JTRPBF IRS2332DSPBF IRS2332DSTRPBF IRS2330SPBF
Modello di prodotti IRS2332JTRPBF IRS2332DSPBF IRS2332DSTRPBF IRS2330SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Contenitore / involucro 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Numero di prodotto di base IRS2332 IRS2332 IRS2332 IRS2330
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Frequenza di ingresso 6 6 6 6
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 35ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-SOIC 28-SOIC 28-SOIC
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Tipo di ingresso Inverting Inverting Inverting Inverting

IRS2332JTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2332JTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2332JTRPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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