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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIRS2332DSPBF
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IRS2332DSPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2332DSPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2332DSPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Scheda dati
IRS2332DSPBF.pdf
In magazzino: 17870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2332DSPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2332DSPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2332DSPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 28-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 35ns  
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 6  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase  
Numero di prodotto di base IRS2332  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2332DSPBF

Proprietà del prodotto IRS2332DSPBF IRS2334MPBF IRS2330STRPBF IRS2332STRPBF
Modello di prodotti IRS2332DSPBF IRS2334MPBF IRS2330STRPBF IRS2332STRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Contenitore dispositivo fornitore 28-SOIC 28-MLPQ (5x5) 28-SOIC 28-SOIC
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 200mA, 350mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Serie - - - -
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-VFQFN Exposed Pad 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Tipo di ingresso Inverting Non-Inverting Inverting Inverting
Numero di prodotto di base IRS2332 IRS2334 IRS2330 IRS2332
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 35ns 125ns, 50ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenza di ingresso 6 6 6 6
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IRS2332DSPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2332DSPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2332DSPBF - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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