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IRS21851SPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS21851SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS21851SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRS21851SPBF.pdf
In magazzino: 6880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS21851SPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS21851SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS21851SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 15ns, 15ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4A, 4A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IRS21851  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS21851SPBF

Proprietà del prodotto IRS21851SPBF IRS21856STRPBF IRS21858STRPBF IRS2184PBF
Modello di prodotti IRS21851SPBF IRS21856STRPBF IRS21858STRPBF IRS2184PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tempo di salita / scadenza (Typ) 15ns, 15ns 30ns, 20ns 60ns, 20ns 40ns, 20ns
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 3.5V 0.8V, 3.5V 0.8V, 2.5V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4A, 4A 500mA, 500mA 290mA, 600mA 1.9A, 2.3A
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Independent Independent Synchronous
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Frequenza di ingresso 1 2 2 2
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Numero di prodotto di base IRS21851 IRS21856 IRS21858 IRS2184
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 14-SOIC 16-SOIC 8-PDIP
Configurazione guidata High-Side Half-Bridge High-Side Half-Bridge

IRS21851SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS21851SPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS21851SPBF - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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