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IRS21850STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS21850STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS21850STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Scheda dati
IRS21850STRPBF.pdf
In magazzino: 4040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS21850STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS21850STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS21850STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 15ns, 15ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4A, 4A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IRS21850  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS21850STRPBF

Proprietà del prodotto IRS21850STRPBF IRS21844STRPBF IRS21858SPBF IRS21851STRPBF
Modello di prodotti IRS21850STRPBF IRS21844STRPBF IRS21858SPBF IRS21851STRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tempo di salita / scadenza (Typ) 15ns, 15ns 40ns, 20ns 60ns, 20ns 15ns, 15ns
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Synchronous Independent Single
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4A, 4A 1.9A, 2.3A 290mA, 600mA 4A, 4A
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 14-SOIC 16-SOIC 8-SOIC
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRS21850 IRS21844 IRS21858 IRS21851
Configurazione guidata High-Side Half-Bridge High-Side High-Side
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Frequenza di ingresso 1 2 2 1
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 3.5V 0.8V, 2.5V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IRS21850STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS21850STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS21850STRPBF - Infineon Technologies.

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