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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLU9343PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLU9343PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRLU9343PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLU9343PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 55V 20A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRLU9343PBF.pdf
In magazzino: 5030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLU9343PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRLU9343PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRLU9343PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRLU9343PBF

Proprietà del prodotto IRLU9343PBF IRLW630ATM IRLU8726PBF IRLZ14
Modello di prodotti IRLU9343PBF IRLW630ATM IRLU8726PBF IRLZ14
fabbricante International Rectifier onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.35V @ 50µA 2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 5V 5.8mOhm @ 25A, 10V 200mOhm @ 6A, 5V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 200 V 30 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 23 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) 75W (Tc) 43W (Tc)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) I2PAK (TO-262) I-PAK TO-220AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 50 V 755 pF @ 25 V 2150 pF @ 15 V 400 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 9A (Tc) 86A (Tc) 10A (Tc)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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