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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLU8743PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLU8743PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLU8743PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLU8743PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 160A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRLU8743PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 43360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLU8743PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLU8743PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLU8743PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4880 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLU8743  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLU8743PBF

Proprietà del prodotto IRLU8743PBF IRLU8729-701PBF IRLU8259PBF IRLU8726PBF
Modello di prodotti IRLU8743PBF IRLU8729-701PBF IRLU8259PBF IRLU8726PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc) 55W (Tc) 48W (Tc) 75W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 8.7mOhm @ 21A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 58A (Tc) 57A (Tc) 86A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 25 V 30 V
Numero di prodotto di base IRLU8743 - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4880 pF @ 15 V 1350 pF @ 15 V 900 pF @ 13 V 2150 pF @ 15 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) PG-TO-251-3-21 I-PAK I-PAK

IRLU8743PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLU8743PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLU8743PBF - Infineon Technologies.

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