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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLU120NPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLU120NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLU120NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLU120NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRLU120NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 93240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLU120NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLU120NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLU120NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLU120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLU120NPBF

Proprietà del prodotto IRLU120NPBF IRLU110ATU IRLU110PBF IRLU2703
Modello di prodotti IRLU120NPBF IRLU110ATU IRLU110PBF IRLU2703
fabbricante Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 30 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V 440mOhm @ 2.35A, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 45mOhm @ 14A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 5V 4V, 5V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base IRLU120 IRLU11 IRLU110 -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±16V ±20V ±10V ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251AA) I-PAK TO-251AA I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 4.7A (Tc) 4.3A (Tc) 23A (Tc)

IRLU120NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLU120NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLU120NPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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