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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLU110ATU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLU110ATU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
IRLU110ATU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLU110ATU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IRLR/U110A.pdf
In magazzino: 4160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLU110ATU
Specifiche tecniche onsemi - IRLU110ATU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - IRLU110ATU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLU11  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi IRLU110ATU

Proprietà del prodotto IRLU110ATU IRLU024N IRLU110 IRLU120NPBF
Modello di prodotti IRLU110ATU IRLU024N IRLU110 IRLU120NPBF
fabbricante onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base IRLU11 - IRLU110 IRLU120
Vgs (Max) ±20V ±16V ±10V ±16V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 5V 185mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 48W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc) 17A (Tc) 4.3A (Tc) 10A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRLU110ATU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLU110ATU PDF e la documentazione onsemi per IRLU110ATU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
IRLR/U110A.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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