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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLS4030PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLS4030PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRLS4030PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLS4030PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRLS4030PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLS4030PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRLS4030PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRLS4030PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRLS4030PBF

Proprietà del prodotto IRLS4030PBF IRLS4030TRLPBF IRLS4030-7PPBF IRLSL3036PBF
Modello di prodotti IRLS4030PBF IRLS4030TRLPBF IRLS4030-7PPBF IRLSL3036PBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 190A (Tc) 195A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V 11360 pF @ 50 V 11490 pF @ 50 V 11210 pF @ 50 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc) 370W (Tc) 370W (Tc) 380W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead) TO-262
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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