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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLS510A
IRLS510A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLS510A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
IRLS510A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLS510A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRLS510A.pdf
In magazzino: 5140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLS510A
Specifiche tecniche onsemi - IRLS510A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - IRLS510A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 440mOhm @ 2.25A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 23W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLS51  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi IRLS510A

Proprietà del prodotto IRLS510A IRLS640A IRLSL3036PBF IRLS4030PBF
Modello di prodotti IRLS510A IRLS640A IRLSL3036PBF IRLS4030PBF
fabbricante onsemi onsemi Infineon Technologies International Rectifier
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 440mOhm @ 2.25A, 5V 180mOhm @ 4.9A, 5V 2.4mOhm @ 165A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 1705 pF @ 25 V 11210 pF @ 50 V 11360 pF @ 50 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-262 D2PAK
Numero di prodotto di base IRLS51 IRLS640 - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 56 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc) 9.8A (Tc) 195A (Tc) 180A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 60 V 100 V
Dissipazione di potenza (max) 23W (Tc) 40W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±16V

IRLS510A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLS510A PDF e la documentazione onsemi per IRLS510A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
IRLS510A.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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