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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR8103VTRRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR8103VTRRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR8103VTRRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR8103VTRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR8103VTRRPBF.pdf
In magazzino: 4300

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR8103VTRRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR8103VTRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR8103VTRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 91A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR8103VTRRPBF

Proprietà del prodotto IRLR8103VTRRPBF IRLR8103VPBF IRLR8113PBF IRLR8103
Modello di prodotti IRLR8103VTRRPBF IRLR8103VPBF IRLR8113PBF IRLR8103
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 7mOhm @ 15A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V 32 nC @ 4.5 V 50 nC @ 5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V 2672 pF @ 16 V 2920 pF @ 15 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 91A (Tc) 91A (Tc) 94A (Tc) 89A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) 115W (Tc) 89W (Tc) 89W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2V @ 250µA (Min)

IRLR8103VTRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR8103VTRRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR8103VTRRPBF - Infineon Technologies.

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