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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR8103VPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRLR8103VPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR8103VPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR8103VPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR8103VPBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4700

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR8103VPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR8103VPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR8103VPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 91A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR8103VPBF

Proprietà del prodotto IRLR8103VPBF IRLR7843TR IRLR7843TRLPBF IRLR8113TR
Modello di prodotti IRLR8103VPBF IRLR7843TR IRLR7843TRLPBF IRLR8113TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 89W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V 4380 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V 2920 pF @ 15 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 32 nC @ 4.5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 91A (Tc) 161A (Tc) 161A (Tc) 94A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRLR8103VPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR8103VPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR8103VPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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