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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR4343
IRLR4343 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR4343 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR4343
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR4343
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR4343, IRLU4343/-701.pdf
In magazzino: 5260

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR4343
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR4343, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR4343

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR4343

Proprietà del prodotto IRLR4343 IRLR4343TRPBF IRLR3915TRPBF IRLR6225PBF
Modello di prodotti IRLR4343 IRLR4343TRPBF IRLR3915TRPBF IRLR6225PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1.1V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±12V
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) 79W (Tc) 120W (Tc) 63W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 72 nC @ 4.5 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc) 26A (Tc) 30A (Tc) 100A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 50 V 740 pF @ 50 V 1870 pF @ 25 V 3770 pF @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 21A, 4.5V

IRLR4343 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR4343 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR4343 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRLR4343, IRLU4343/-701.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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