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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR3915TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR3915TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR3915TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR3915TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR3915TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 56340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR3915TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLR3915  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR3915TRPBF

Proprietà del prodotto IRLR3915TRPBF IRLR3717TRPBF IRLR3802PBF IRLR4343PBF
Modello di prodotti IRLR3915TRPBF IRLR3717TRPBF IRLR3802PBF IRLR4343PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 41 nC @ 5 V 42 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IRLR3915 - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 89W (Tc) 88W (Tc) 79W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Vgs (Max) ±16V ±20V ±12V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 120A (Tc) 84A (Tc) 26A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V 2830 pF @ 10 V 2490 pF @ 6 V 740 pF @ 50 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 20 V 12 V 55 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRLR3915TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR3915TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR3915TRPBF - Infineon Technologies.

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