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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLML5203
IRLML5203 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLML5203 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLML5203
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLML5203
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
IRLML5203.pdf
In magazzino: 5460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLML5203
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLML5203, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLML5203

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLML5203

Proprietà del prodotto IRLML5203 IRLML5103TR IRLML5203GTRPBF IRLML5103TRPBF
Modello di prodotti IRLML5203 IRLML5103TR IRLML5203GTRPBF IRLML5103TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 75 pF @ 25 V 14nC @ 10V 75 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) - - 540mW (Ta)
Tipo FET P-Channel P-Channel - P-Channel
Vgs (Max) ±20V - 4.5V, 10V ±20V
Caratteristica FET - - P-Channel -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 98 mOhm @ 3A, 10V 1V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 2.5V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 3A (Ta) 600mOhm @ 600mA, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 760mA (Ta) 30V 760mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tube Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 - Micro3™/SOT-23

IRLML5203 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLML5203 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLML5203 - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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