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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLML5103TR
IRLML5103TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLML5103TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLML5103TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLML5103TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
IRLML5103.pdf
In magazzino: 3870

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLML5103TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLML5103TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLML5103TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 760mA (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLML5103TR

Proprietà del prodotto IRLML5103TR IRLML2803TR IRLML5203GTRPBF IRLML5203TRPBF
Modello di prodotti IRLML5103TR IRLML2803TR IRLML5203GTRPBF IRLML5203TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V 14nC @ 10V 510 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - P-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V 3A (Ta) 98mOhm @ 3A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 760mA (Ta) 1.2A (Ta) 30V 3A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 98 mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Contenitore dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 - Micro3™/SOT-23
Tipo FET P-Channel N-Channel - P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLML5103TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLML5103TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLML5103TR - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
IRLML5103.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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