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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLL024NPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLL024NPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRLL024NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL024NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL024NPBF.pdf
In magazzino: 4790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL024NPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRLL024NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRLL024NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.6 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRLL024NPBF

Proprietà del prodotto IRLL024NPBF IRLL014TRPBF IRLL024ZTRPBF IRLL024NTRPBF
Modello di prodotti IRLL024NPBF IRLL014TRPBF IRLL024ZTRPBF IRLL024NTRPBF
fabbricante International Rectifier Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta) 2.7A (Tc) 5A (Tc) 3.1A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 55 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 5V 60mOhm @ 3A, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.6 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 15.6 nC @ 5 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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