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IRLL014NTR Image
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IRLL014NTR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLL014NTR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLL014NTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLL014N.pdf
In magazzino: 4860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLL014NTR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLL014NTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLL014NTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLL014NTR

Proprietà del prodotto IRLL014NTR IRLIZ44GPBF IRLL014NTRPBF IRLL014
Modello di prodotti IRLL014NTR IRLIZ44GPBF IRLL014NTRPBF IRLL014
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 48W (Tc) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 TO-220-3 SOT-223 SOT-223
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V 28mOhm @ 18A, 5V 140mOhm @ 2A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 66 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 8.4 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 30A (Tc) 2A (Ta) 2.7A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRLL014NTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLL014NTR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLL014NTR - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRLL014N.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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