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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLB8748PBF
IRLB8748PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLB8748PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLB8748PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLB8748PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRLB8748PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 117300

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLB8748PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLB8748PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLB8748PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2139 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 92A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLB8748  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLB8748PBF

Proprietà del prodotto IRLB8748PBF IRLC3615F IRLB4132PBF IRLD024
Modello di prodotti IRLB8748PBF IRLC3615F IRLB4132PBF IRLD024
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4V, 5V
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB - TO-220AB 4-HVMDIP
Pacchetto Tube - Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 40A, 10V - 3.5mOhm @ 40A, 10V 100mOhm @ 1.5A, 5V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) - 140W (Tc) 1.3W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 92A (Tc) - 78A (Tc) 2.5A (Ta)
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 60 V
Numero di prodotto di base IRLB8748 - IRLB4132 IRLD024
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2139 pF @ 15 V - 5110 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±10V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 50µA - 2.35V @ 100µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 - TO-220-3 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V - 54 nC @ 4.5 V 18 nC @ 5 V

IRLB8748PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLB8748PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLB8748PBF - Infineon Technologies.

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