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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLB4132PBF
IRLB4132PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLB4132PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLB4132PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLB4132PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRLB4132PbF~.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 93650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLB4132PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLB4132PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLB4132PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLB4132  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLB4132PBF

Proprietà del prodotto IRLB4132PBF IRLB3813PBF IRLBA3803P IRLB8748PBF
Modello di prodotti IRLB4132PBF IRLB3813PBF IRLBA3803P IRLB8748PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc) 260A (Tc) 179A (Tc) 92A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 40A, 10V 1.95mOhm @ 60A, 10V 5mOhm @ 71A, 10V 4.8mOhm @ 40A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-273AA TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 230W (Tc) 270W (Tc) 75W (Tc)
Numero di prodotto di base IRLB4132 IRLB3813 - IRLB8748
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 4.5 V 86 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 15 V 8420 pF @ 15 V 5000 pF @ 25 V 2139 pF @ 15 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA 1V @ 250µA 2.35V @ 50µA

IRLB4132PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLB4132PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLB4132PBF - Infineon Technologies.

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