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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL3705NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL3705NSTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL3705NSTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL3705NSTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL3705NSTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19346

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL3705NSTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL3705NSTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL3705NSTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 46A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL3705  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL3705NSTRLPBF

Proprietà del prodotto IRL3705NSTRLPBF IRL3705NS IRL3705NPBF IRL3705ZSPBF
Modello di prodotti IRL3705NSTRLPBF IRL3705NS IRL3705NPBF IRL3705ZSPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK TO-220AB D2PAK
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 170W (Tc) 130W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 46A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc) 89A (Tc) 89A (Tc) 75A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRL3705 - IRL3705 -

IRL3705NSTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL3705NSTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL3705NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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