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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL3303LPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL3303LPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL3303LPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL3303LPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRL3303(L,S)PbF.pdf
In magazzino: 3710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL3303LPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL3303LPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL3303LPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL3303LPBF

Proprietà del prodotto IRL3303LPBF IRL3302S IRL3303S IRL3215
Modello di prodotti IRL3303LPBF IRL3302S IRL3303S IRL3215
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 23A, 7V 26mOhm @ 20A, 10V 166mOhm @ 7.2A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 1300 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V 775 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 39A (Tc) 38A (Tc) 12A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 D2PAK D2PAK TO-220AB
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 57W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 80W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 7V 4.5V, 10V 4V, 10V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 150 V

IRL3303LPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL3303LPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL3303LPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Schede tecniche
IRL3303(L,S)PbF.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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