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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL3302PBF
IRL3302PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL3302PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL3302PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL3302PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL3302PbF.pdf
In magazzino: 4710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL3302PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL3302PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL3302PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 23A, 7V  
Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL3302PBF

Proprietà del prodotto IRL3302PBF IRL3303 IRL3303LPBF IRL3303PBF
Modello di prodotti IRL3302PBF IRL3303 IRL3303LPBF IRL3303PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-262 TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±16V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 23A, 7V 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 68W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V

IRL3302PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL3302PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL3302PBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IRL3302PbF.pdf

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