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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS7787TRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS7787TRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS7787TRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS7787TRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS7787TRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS7787TRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS7787TRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS7787TRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFS7787  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS7787TRLPBF

Proprietà del prodotto IRFS7787TRLPBF IRFS820B IRFS7730PBF IRFS840B
Modello di prodotti IRFS7787TRLPBF IRFS820B IRFS7730PBF IRFS840B
fabbricante Infineon Technologies Fairchild Semiconductor International Rectifier Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V 2.6Ohm @ 1.25A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base IRFS7787 - - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®, StrongIRFET™ -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 TO-220F-3 D²PAK (TO-263AB) TO-220F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc) 2.5A (Tj) 195A (Tc) 8A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 500 V 75 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 33W (Tc) 375W (Tc) 44W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V

IRFS7787TRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS7787TRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS7787TRLPBF - Infineon Technologies.

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