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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS7734TRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS7734TRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS7734TRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS7734TRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS7734TRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS7734TRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS7734TRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS7734TRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 290W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10150 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 183A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFS7734  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF

Proprietà del prodotto IRFS7734TRLPBF IRFS7730PBF IRFS7734TRL7PP IRFS7540TRLPBF
Modello di prodotti IRFS7734TRLPBF IRFS7730PBF IRFS7734TRL7PP IRFS7540TRLPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 290W (Tc) 375W (Tc) 294W (Tc) 160W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10150 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 10130 pF @ 25 V 4555 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA 3.7V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 183A (Tc) 195A (Tc) 197A (Tc) 110A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 D²PAK (TO-263AB) PG-TO263-7 PG-TO263-3
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 60 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 3.05mOhm @ 100A, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRFS7734 - - IRFS7540
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™

IRFS7734TRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS7734TRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS7734TRLPBF - Infineon Technologies.

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