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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS7440TRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS7440TRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS7440TRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS7440TRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS7440TRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32868

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS7440TRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS7440TRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS7440TRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4730 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFS7440  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS7440TRLPBF

Proprietà del prodotto IRFS7440TRLPBF IRFS7434TRLPBF IRFS7530-7PPBF IRFS7437PBF
Modello di prodotti IRFS7440TRLPBF IRFS7434TRLPBF IRFS7530-7PPBF IRFS7437PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc) 195A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V - 6V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 100µA 3.9V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.9V @ 150µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) D2PAK D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) 294W (Tc) 375W (Tc) 230W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 354 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRFS7440 IRFS7434 - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4730 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 12960 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFS7440TRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS7440TRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS7440TRLPBF - Infineon Technologies.

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