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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS4615PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4615PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4615PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4615PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS4615PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4615PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFS4615PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFS4615PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  

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Proprietà del prodotto IRFS4615PBF IRFS4610TRRPBF IRFS4610TRLPBF IRFS4610PBF
Modello di prodotti IRFS4615PBF IRFS4610TRRPBF IRFS4610TRLPBF IRFS4610PBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 73A (Tc) 73A (Tc) 73A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFS4615PBF

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