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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS4610TRRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4610TRRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4610TRRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4610TRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS4610TRRPBF.pdf
In magazzino: 4160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4610TRRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS4610TRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS4610TRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 44A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 73A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS4610TRRPBF

Proprietà del prodotto IRFS4610TRRPBF IRFS450B IRFS4510PBF IRFS4615TRLPBF
Modello di prodotti IRFS4610TRRPBF IRFS450B IRFS4510PBF IRFS4615TRLPBF
fabbricante Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 50 V 3800 pF @ 25 V 3180 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 100µA
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 44A, 10V 390mOhm @ 4.8A, 10V 13.9mOhm @ 37A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 96W (Tc) 140W (Tc) 144W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 500 V 100 V 150 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 73A (Tc) 9.6A (Tc) 61A (Tc) 33A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-3PF PG-TO263-3 D2PAK
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

IRFS4610TRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS4610TRRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS4610TRRPBF - Infineon Technologies.

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