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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS33N15DTRLP
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS33N15DTRLP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS33N15DTRLP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS33N15DTRLP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFB, IRFS(L)33N15D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS33N15DTRLP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS33N15DTRLP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS33N15DTRLP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS33N15DTRLP

Proprietà del prodotto IRFS33N15DTRLP IRFS350A IRFS3307ZTRRPBF IRFS3507
Modello di prodotti IRFS33N15DTRLP IRFS350A IRFS3307ZTRRPBF IRFS3507
fabbricante Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V 300mOhm @ 5.75A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V 2780 pF @ 25 V 4750 pF @ 50 V 3540 pF @ 50 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 400 V 75 V 75 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 11.5A (Tc) 120A (Tc) 97A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-3PF D²PAK (TO-263) D2PAK
Caratteristica FET - - - -
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 92W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRFS33N15DTRLP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS33N15DTRLP PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS33N15DTRLP - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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