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IRFS33N15D Image
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IRFS33N15D - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS33N15D
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS33N15D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFB, IRFS(L)33N15D.pdf
In magazzino: 4470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS33N15D
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS33N15D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS33N15D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS33N15D

Proprietà del prodotto IRFS33N15D IRFS33N15DPBF IRFS3307ZPBF IRFS3307ZTRLPBF
Modello di prodotti IRFS33N15D IRFS33N15DPBF IRFS3307ZPBF IRFS3307ZTRLPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 150 V 75 V 75 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V 2020 pF @ 25 V 4750 pF @ 50 V 4750 pF @ 50 V
Rds On (max) a Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V 56mOhm @ 20A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFS33N15D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS33N15D PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS33N15D - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
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IRFB, IRFS(L)33N15D.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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