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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS3004TRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS3004TRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS3004TRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS3004TRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13232

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS3004TRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS3004TRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS3004TRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFS3004  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS3004TRLPBF

Proprietà del prodotto IRFS3004TRLPBF IRFS3004-7PPBF IRFS3006TRL7PP IRFS3006PBF
Modello di prodotti IRFS3004TRLPBF IRFS3004-7PPBF IRFS3006TRL7PP IRFS3006PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Ta) 240A (Tc) 240A (Tc) 195A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 2.1mOhm @ 168A, 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IRFS3004 - IRFS3006 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 9130 pF @ 25 V 8850 pF @ 50 V 8970 pF @ 50 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) D2PAK

IRFS3004TRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS3004TRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS3004TRLPBF - Infineon Technologies.

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