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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS3004-7PPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS3004-7PPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS3004-7PPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS3004-7PPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati
IRFS3004-7PPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS3004-7PPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS3004-7PPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS3004-7PPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25mOhm @ 195A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9130 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS3004-7PPBF

Proprietà del prodotto IRFS3004-7PPBF IRFS3004TRL7PP IRFS23N20DTRLP IRFS3006TRL7PP
Modello di prodotti IRFS3004-7PPBF IRFS3004TRL7PP IRFS23N20DTRLP IRFS3006TRL7PP
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25mOhm @ 195A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 2.1mOhm @ 168A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 200 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) 380W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 375W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 240A (Tc) 24A (Tc) 240A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK (7-Lead)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9130 pF @ 25 V 9130 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 8850 pF @ 50 V

IRFS3004-7PPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS3004-7PPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS3004-7PPBF - Infineon Technologies.

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