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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFR3706TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR3706TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFR3706TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR3706TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRF(R,U)3706PbF.pdf
In magazzino: 4060

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR3706TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFR3706TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFR3706TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFR3706TRPBF

Proprietà del prodotto IRFR3706TRPBF IRFR3706PBF IRFR3704ZTRLPBF IRFR3707Z
Modello di prodotti IRFR3706TRPBF IRFR3706PBF IRFR3704ZTRLPBF IRFR3707Z
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 60A (Tc) 56A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) 88W (Tc) 48W (Tc) 50W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 8.4mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V 2410 pF @ 10 V 1190 pF @ 10 V 1150 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V

IRFR3706TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFR3706TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFR3706TRPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF(R,U)3706PbF.pdf

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