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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFR3704ZTRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR3704ZTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFR3704ZTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR3704ZTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR3704ZTRLPBF.pdf
In magazzino: 4240

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR3704ZTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFR3704ZTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFR3704ZTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFR3704ZTRLPBF

Proprietà del prodotto IRFR3704ZTRLPBF IRFR3704TRL IRFR3707 IRFR3704ZTRPBF
Modello di prodotti IRFR3704ZTRLPBF IRFR3704TRL IRFR3707 IRFR3704ZTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 75A (Tc) 61A (Tc) 60A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 90W (Tc) 87W (Tc) 48W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 10 V 1996 pF @ 10 V 1990 pF @ 15 V 1190 pF @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 8.4mOhm @ 15A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

IRFR3704ZTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFR3704ZTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFR3704ZTRLPBF - Infineon Technologies.

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