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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFHM4231TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFHM4231TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFHM4231TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFHM4231TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFHM4231TRPBF.pdf
In magazzino: 4360

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFHM4231TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFHM4231TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFHM4231TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 29W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFHM4231  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFHM4231TRPBF

Proprietà del prodotto IRFHM4231TRPBF IRFH9310TRPBF IRFHM7194TRPBF IRFHM8228TRPBF
Modello di prodotti IRFHM4231TRPBF IRFH9310TRPBF IRFHM7194TRPBF IRFHM8228TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V 4.6mOhm @ 21A, 10V 16.4mOhm @ 20A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V
Numero di prodotto di base IRFHM4231 IRFH9310 - -
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 100 V 25 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V 19 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 13 V 5250 pF @ 15 V 733 pF @ 50 V 1667 pF @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 29W (Tc) 3.1W (Ta) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 2.8W (Ta), 34W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA 2.4V @ 100µA 3.6V @ 50µA 2.35V @ 25µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc) 9.3A (Ta), 34A (Tc) 19A (Ta)

IRFHM4231TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFHM4231TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFHM4231TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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