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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFHM3911TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFHM3911TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFHM3911TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFHM3911TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFHM3911TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 123000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFHM3911TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFHM3911TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFHM3911TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 35µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 6.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 29W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta), 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFHM3911  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFHM3911TRPBF

Proprietà del prodotto IRFHM3911TRPBF IRFH8337TR2PBF IRFHM4234TRPBF IRFH8337TRPBF
Modello di prodotti IRFHM3911TRPBF IRFH8337TR2PBF IRFHM4234TRPBF IRFH8337TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 50 V 790 pF @ 10 V 1011 pF @ 13 V 790 pF @ 10 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta), 20A (Tc) 12A (Ta), 35A (Tc) 20A (Ta) 12A (Ta), 35A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 35µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 29W (Tc) - 2.8W (Ta), 28W (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 30 V 25 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 6.3A, 10V 12.8mOhm @ 16.2A, 10V 4.4mOhm @ 30A, 10V 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Numero di prodotto di base IRFHM3911 - - -
Serie HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) - PQFN (5x6)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFHM3911TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFHM3911TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFHM3911TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
PCN Altro
Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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