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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH8321TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH8321TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH8321TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH8321TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRFH8321PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH8321TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH8321TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH8321TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.4W (Ta), 54W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-TQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 83A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH8321TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH8321TRPBF IRFH8318TRPBF IRFH8325TRPBF IRFH8330TRPBF
Modello di prodotti IRFH8321TRPBF IRFH8318TRPBF IRFH8325TRPBF IRFH8330TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA
Dissipazione di potenza (max) 3.4W (Ta), 54W (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Contenitore / involucro 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 83A (Tc) 27A (Ta), 120A (Tc) 21A (Ta), 82A (Tc) 17A (Ta), 56A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 10 V 3180 pF @ 10 V 2487 pF @ 10 V 1450 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 20A, 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V

IRFH8321TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH8321TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH8321TRPBF - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Schede tecniche
IRFH8321PBF.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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