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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH8318TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH8318TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH8318TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH8318TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 119890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH8318TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH8318TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH8318TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 59W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFH8318  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH8318TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH8318TRPBF IRFH8330TRPBF IRFH8311TRPBF IRFH8325TR2PBF
Modello di prodotti IRFH8318TRPBF IRFH8330TRPBF IRFH8311TRPBF IRFH8325TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 10 V 1450 pF @ 25 V 4960 pF @ 10 V 2487 pF @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 59W (Tc) 3.3W (Ta), 35W (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) -
Numero di prodotto di base IRFH8318 IRFH8330 IRFH8311 -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 120A (Tc) 17A (Ta), 56A (Tc) 32A (Ta), 169A (Tc) 21A (Ta), 82A (Tc)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

IRFH8318TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH8318TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH8318TRPBF - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Mosfet Test/Fab Add 9/Oct/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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